Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 220MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC846B-TP |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC846B-TP |
|
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
20.00
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
152
|
47.53
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
596
|
32.74
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 738
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
575
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
|
5 440
|
3.55
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
FAIRCHILD
|
1 500
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
LITTELFUSE
|
534
|
10.60
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
YJ
|
156
|
8.22
|
|
|
|
КС175А2 СТ. |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КС175А2 СТ. |
|
|
САРАНСК
|
1 595
|
2.52
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 875
|
30.36
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
6 464
|
37.80
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|