BC875

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC875		38.36

Версия для печати

Технические характеристики BC875

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	200MHz
Power - Max	830mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.8V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC875

NPN Silicon Darlington Transistors

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC875 datasheet
177.01Kb
4стр.