Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 11x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 128 x 8 |
EEPROM Size | 128 x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 2KB (1K x 16) |
Число вводов/выводов | 16 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Подключения | USI |
Скорость | 20MHz |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | AVR |
Серия | AVR® ATtiny |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
|
|
165.20
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
104
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
132
|
|
|
|
|
IRG4BC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 49A, 160W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 49A, 160W
|
|
|
193.88
|
|
|
|
IRG4BC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 49A, 160W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
IRG4BC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 49A, 160W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 49A, 160W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
|
32
|
42.00
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
США
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
830
|
42.00
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS
|
2 592
|
49.08
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
30
|
42.00
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
YOUTAI
|
60
|
15.69
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
UMW
|
176
|
43.39
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMI
|
16
|
40.62
|
|