| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1210 СВЕТОДИОД КРАСН. 160МКД LST679CD |
|
|
OSRAM OPTO
|
|
|
|
|
|
|
1210 СВЕТОДИОД КРАСН. 160МКД LST679CD |
|
|
|
|
28.40
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE-ON
|
14
|
14.48
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LIT
|
2 098
|
9.02
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGH
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGHT
|
344
|
13.87
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
|
83
|
40.32
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
CT-MICRO
|
5 438
|
9.60
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
ATMEL
|
4
|
1 125.45
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
|
125
|
1 421.22
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
ATMEL CORPORATION
|
912
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
MICRO CHIP
|
5 981
|
1 239.84
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
65 600
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.70
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
309 723
|
1.82
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
180 641
|
1.69
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
28 286
|
2.64
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
39 048
|
2.00
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
245
|
1.47
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
67 232
|
1.99
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
9156
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
RUME
|
2 400
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
TRR
|
7 200
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
XXW
|
80 793
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
|
|
54.56
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
678
|
|
|