|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1210 СВЕТОДИОД КРАСН. 160МКД LST679CD |
|
|
OSRAM OPTO
|
|
|
|
|
|
1210 СВЕТОДИОД КРАСН. 160МКД LST679CD |
|
|
|
|
28.40
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE-ON
|
472
|
23.67
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LIT
|
2 926
|
14.88
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
VISHAY
|
557
|
39.35
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGH
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGHT
|
300
|
18.22
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
|
83
|
40.32
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
CT-MICRO
|
6 676
|
13.29
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
ATMEL
|
804
|
1 190.54
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
|
162
|
1 252.16
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
ATMEL CORPORATION
|
912
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
MICRO CHIP
|
6 657
|
1 136.52
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
79 440
|
1.07
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.57
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
193 216
|
1.19
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
268 034
|
1.67
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
23 268
|
1.44
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
38 349
|
1.08
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
60 052
|
1.41
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
3 463
|
2.18
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
54 449
|
1.04
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
22 388
|
2.69
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
|
|
54.56
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TLC272ID |
|
2xOP CMOS 3.16V LP LN
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
678
|
|
|