AD823AN


2 Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3..36 В, -40..+85°C

Купить AD823AN по цене 453.20 руб.  (без НДС 20%)
AD823AN 2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
AD823AN цена радиодетали 453.20 
AD823AN (4-7 НЕДЕЛЬ) 76 3-4 недели
Цена по запросу

2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, PDIP8.
Версия для печати

Технические характеристики AD823AN

Корпус8-PDIP
Корпус (размер)8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаВыводной
Рабочая температура-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)3 V ~ 36 V, ±1.5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал17mA
Ток выходной7mA
Напряжение входного смещения700µV
Ток - входного смещения5pA
Полоса пропускания -3Дб16MHz
Скорость нарастания выходного напряжения25 V/µs
Тип выходаRail-to-Rail
Число каналов2
Тип усилителяJ-FET
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K   MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K     Заказ радиодеталей 239.00 
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K   4-7 НЕДЕЛЬ 676 цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)     2 924 13.13 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS 476 14.46 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   PILIPINES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHANGJIANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   HOTTECH 72 3.91 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   JSCJ 25 486 6.25 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИМОРТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   RUME 758 3.69 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   TRR 7 200 3.79 
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   YAGEO 849 215 0.66 
>500 шт.   0.22 
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   PHYCOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   PHYCOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805     Заказ радиодеталей 3.28 
    LT1468CN8     LT Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LT1468CN8       Заказ радиодеталей 784.80 
    LT1468CN8     LINEAR TECHNOLOGY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LT1468CN8     LINEAR TECHNOLOGY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LT1468CN8     ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LT1468CN8     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LT1468CN8     4-7 НЕДЕЛЬ 516 цена радиодетали
    RC0805FR-0712RL     YAGEO 110 548 0.70 
>1000 шт.   0.14 
    RC0805FR-0712RL     YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805FR-0712RL       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход