| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
0805-2.2K 1% |
|
ЧИП — резистор 2,2кОм, 1%
|
|
|
1.20
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
|
|
19.04
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
 |
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
315
|
98.28
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
1 996
|
29.54
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
|
11 920
|
1.80
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
КИТАЙ
|
266
|
11.34
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YJ
|
1 440
|
4.13
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
MIC
|
23 578
|
1.98
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY ME
|
1 445
|
7.11
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE
|
3 600
|
3.44
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
4
|
899.64
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
|
264.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
211
|
1 533.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
