|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
78L05 (MC78L05ABP) |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
18 488
|
2.29
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
1 651
|
2.99
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
4
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
334 436
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
150 584
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
168 550
|
1.11
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
200 840
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
71 044
|
1.36
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
199 403
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
|
|
154.24
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
CMOS
|
204
|
50.23
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
EVVO
|
1 859
|
36.36
|
|
|
|
IRF7314 |
|
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.3A@t=25C, 4.3A@t=70C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7314 |
|
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.3A@t=25C, 4.3A@t=70C, ...
|
|
|
59.68
|
|
|
|
IRF7314 |
|
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.3A@t=25C, 4.3A@t=70C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7314 |
|
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.3A@t=25C, 4.3A@t=70C, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF7314 |
|
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.3A@t=25C, 4.3A@t=70C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LT1013DD |
|
Микросхема 2х операционный усилитель pre
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LT1013DD |
|
Микросхема 2х операционный усилитель pre
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LT1013DD |
|
Микросхема 2х операционный усилитель pre
|
|
|
469.56
|
|
|
|
LT1013DD |
|
Микросхема 2х операционный усилитель pre
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LT1013DD |
|
Микросхема 2х операционный усилитель pre
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
470
|
|
|