| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0.1МКФ 50 (4X5)105°C |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
|
|
10.56
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS THOMSON
|
210
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 099
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
JFV0A1224K150000B |
|
|
JB
|
1 214
|
9.28
|
|
|
|
|
JFV0A1224K150000B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
2 146
|
37.80
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
696
|
123.98
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
С2-23-0,125-1К |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
