|
|
Версия для печати
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Type | Schottky |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3.3A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | C-16, Axial |
| Корпус | C-16 |
|
31DQ10 Low Forward Voltage Drop Diode
Производитель:
|
Синонимы от поставщиков: 31DQ10 ; 31DQ-10 ; 31DQ 10 ; 31DQ — 10 ; 31DQ10 ; диод 31DQ10 ;
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MF-2 0.91 5% |
|
|
||||||
| MF-2 0.91 5% | КИТАЙ |
|
|
|||||
| MF-2-1.1K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-2-1.1K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | 60 | 3.52 | ||||
|
|
|
MF-2-20 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2Вт, 5%, 2Ом | CHINA |
|
|
|
|
|
|
MF-2-20 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2Вт, 5%, 2Ом |
|
3.64 | ||
| NCP1400ASN30T1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1400ASN30T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1400ASN30T1G |
|
|
||||||
| PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП | MURATA |
|
|
|||
| PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП | MUR |
|
|
|||
| PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП |
|
69.64 | ||||
| PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП | MUR/TP |
|
|
|||
| PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП | TOKYO PARTS |
|
|
|||
| PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП | TP-MUR |
|
|