2SD1407
Биполярный транзистор NPN 100V, 5A, 30W, 12MHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-220NIS |
| Корпус (размер) | 2-10R1A (TO-220 NIS) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 12MHz |
| Power - Max | 30W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 1A, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 400mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SD1407 (Дискретные сигналы) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1406 |
|
Биполярный транзистор | TOSHIBA |
|
|
|||
| 2SD1406 |
|
Биполярный транзистор |
|
30.48 |
