ОТСОС ПРИПОЯ TD-192В
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 6.3 (8X11)105°C |
|
|
||||||
| 470МКФ 16 (10Х16,АКС.)105°C |
|
|
||||||
| ECAP 1500/6.3V 1016 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 6.3 В | SAMWHA |
|
|
|||
 |
 |
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | 360 | 97.65 | |
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 587 | 109.54 | ||
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 1 |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | EVVO | 606 | 57.75 | |
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | JSMICRO | 1 204 | 57.48 | |
| ZD-407 60W ПАЯЛЬНИК | ZD |
|
|
|||||
| ZD-407 60W ПАЯЛЬНИК |
|
|
||||||
| ZD-407 60W ПАЯЛЬНИК | ZHONGDI | 8 | 586.72 |
