| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 812
|
1.43
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
73 904
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
309
|
3.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
3 729
|
2.24
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 201
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.75
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.40
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
58 436
|
2.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
336 514
|
2.45
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
37 196
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
48
|
1.03
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
|
56
|
173.88
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
227
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
|
1
|
46.25
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
203
|
37.52
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM741CN |
|
Операционный усилитель 1канальный, ±22
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
545
|
|
|
|
|
TL072BCD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
Texas Instruments
|
732
|
44.75
|
|
|
|
TL072BCD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
|
|
|
|
TL072BCD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL072BCD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
450
|
|
|