Версия для печати
Технические характеристики КС510А1

Мощность рассеяния,Вт	0.128
Минимальное напряжение стабилизации,В	9.5
Номинальное напряжение стабилизации,В	10
Максимальное напряжение стабилизации,В	11
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	1
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	79
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd-3a
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA		11 280	2.87
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	FAIR
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	ON SEMICONDUCTOR
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	VISHAY
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	FAIRCHILD
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	FAIRCHILD	1 228
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	ON SEMICONDUCTOR
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	Fairchild Semiconductor
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	POHS
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	ONS-FAIR
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	ONS
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	KINGTRONICS
		BZX85C5V6		Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=.5.6V, Izt=45mA	TAK CHEONG	32	3.44
		BZX85C8V2-TAP			TELEFUNKEN
		BZX85C8V2-TAP			VISHAY
		BZX85C8V2-TAP			VISHAY	8 888
		BZX85C8V2-TAP
		КТ315В1				376	7.40
		КТ315В1			КРЕМНИЙ	532	13.23
		КТ315В1			ИНТЕГРАЛ
		КТ315В1			МИНСК
		КТ315В1			БРЯНСК	3 861	15.12
		КТ630Б		Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный		13	351.50
		КТ630Б		Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный	КРЕМНИЙ	40	548.10
		КТ630Б		Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный	БРЯНСК	536	766.50
		КТ630Б		Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный	ГРАВИТОН
		КТ630Б		Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный	RUS
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ДНЕПР	1 367	210.00
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.		284	202.40
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ХЕРСОН
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 1
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	RUS
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	СЗТП	80	491.40
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 2
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	РОССИЯ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САПФИР
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ПО "ДНЕПР"	84	299.63

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"