РШ2Н-2-16
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КТ203БМ | ДАЛЕКС |
|
|
||||
|
|
КТ203БМ | 1 528 | 12.47 | |||||
|
|
КТ203БМ | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ203БМ | ЭЛЕКС |
|
|
||||
 |
 |
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 2 | 37.00 | ||
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 7 637 | 37.80 | |
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЗПП МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|
| МЛТ-0,25 56К 5% |
|
|
||||||
| МЛТ-0,5 2,2К 5% |
|
|
||||||
| ОМЛТ-0,5-3 КОМ-5% | 1 016 | 7.40 |
