ПЭВ-10 3.0К 10%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC1959 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 35V, 0,5A, 0,5W, 300MHz | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SC1959 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 35V, 0,5A, 0,5W, 300MHz | DC COMPONENTS |
|
|
|
|
|
|
2SC1959 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 35V, 0,5A, 0,5W, 300MHz | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SC1959 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 35V, 0,5A, 0,5W, 300MHz | 1 | 38.80 | ||
|
|
|
2SC1959 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 35V, 0,5A, 0,5W, 300MHz | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
|
 |
700-101BAB-B00 |
|
Датчик температуры, -70 .. +500°С, сопротивление 100 Ом, точность +0.12 %, корпус 2,1 ... | HONEY |
|
|
||
|
|
700-101BAB-B00 |
|
Датчик температуры, -70 .. +500°С, сопротивление 100 Ом, точность +0.12 %, корпус 2,1 ... | HONEYWELL |
|
|
||
|
|
700-101BAB-B00 |
|
Датчик температуры, -70 .. +500°С, сопротивление 100 Ом, точность +0.12 %, корпус 2,1 ... |
|
|
|||
 |
КР1157ЕН9В |
|
9B, 250мА |
|
10.60 | |||
|
|
КР1157ЕН9В |
|
9B, 250мА | КРЕМНИЙ | 800 | 34.02 | ||
|
|
КР1157ЕН9В |
|
9B, 250мА | БРЯНСК |
|
|
||
|
|
КР1157ЕН9В |
|
9B, 250мА | КРЕМНИЙ ЭЛ | 16 | 22.26 |
