Версия для печати
Технические характеристики К73-17-63-6800 20%

Тип	Комбинированный с фольговыми обмотками
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Серия	К73-17
Емкость	6800 мкФ
Номинальное напряжение	63 В

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

КОНДЕНСАТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W			229.48
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	4-7 НЕДЕЛЬ	620
		К73-17-100-0.1 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В			8.48
		К73-17-100-0.1 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	SUNTAN
		К73-17-100-0.1 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	КИТАЙ
		К73-17-250-0.1 10%		Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%			9.68
		К73-17-250-0.1 10%		Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%	SUNTAN
		К73-17-250-0.1 10%		Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%	КЗК
		К73-17-250-0.1 10%		Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%	КИТАЙ
		К73-17-250-0.1 10%		Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%	ПРОМТЕЗКЗК
		К73-17-250-0.1 10%		Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%	ПРОМТЕХКЗК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		1 418	11.34
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП	8	15.62
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	504	67.16
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	1
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		11 972	27.60
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	4 320	54.76
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	13 065	38.16
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК	7 976	38.16
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	1000
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	10000
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	11366
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	27
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	4794

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"