| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1Т 308 В |
|
Транзисторы ВЧ малой мощности германиевые структуры p-n-p универсальные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
44 697
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
911
|
63.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
174
|
77.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
169
|
63.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
|
К15У-1А-3.5КВ-4.7 П100 20% 4КВАР |
|
Керамические высоковольтный дисковой конденсатор 4.7 пФ 3500 В
|
|
|
268.64
|
|
|
|
|
К15У-1А-3.5КВ-4.7 П100 20% 4КВАР |
|
Керамические высоковольтный дисковой конденсатор 4.7 пФ 3500 В
|
ПРОГРЕСС
|
|
|
|
|
|
|
К73-11А-630-1000 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1000 мкФ 630 В
|
|
|
19.16
|
|
|
|
|
К73-11А-630-1000 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 1000 мкФ 630 В
|
АМФИ
|
|
|
|
|
|
|
К73-11А-630-2700 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 2700 мкФ 630 В
|
|
|
12.56
|
|
|
|
|
К73-11А-630-2700 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 2700 мкФ 630 В
|
АМФИ
|
|
|
|