|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
|
5 039
|
18.50
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NXP
|
159
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NEXPERIA
|
49
|
8.36
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
HTC TAEJIN
|
792
|
24.80
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FULIHAO TECH
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FUMAN
|
5 251
|
4.97
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
HTC
|
1 119
|
12.09
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 916
|
23.52
|
|
|
|
74HC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
799
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
|
4
|
13.64
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
61 625
|
3.72
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
67 924
|
3.34
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
6 420
|
4.30
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
590 957
|
4.13
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
38
|
13.62
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
301 272
|
8.28
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
26 400
|
3.10
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
|
69.32
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
373
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS
|
22 361
|
2.61
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
|
|
4.20
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 036
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
SEMTECH
|
16
|
1.54
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONSEMI
|
282
|
6.33
|
|