TCA0372DP1
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-PDIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 5 V ~ 40 V, ±2.5 V ~ 20 V |
| Ток выходной / канал | 1A |
| Ток выходной | 5mA |
| Напряжение входного смещения | 1000µV |
| Ток - входного смещения | 100nA |
| Полоса пропускания | 1.4MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 1.4 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Product Change Notification | Discontinuance 11/Feb/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TCA0372 (Сильноточные операционные усилители) 1.0A Output Current, Dual Power Operational Amplifiers Также в этом файле: TCA0372DP1
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| K 303-60 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| K 303-60 | KINSTEIN |
|
|
|||||
| L/H SOH-D21U | SAMSUNG |
|
|
|||||
| L/H SOH-D21U | SAM |
|
|
|||||
| L/H SOH-D21U |
|
2 795.28 | ||||||
 |
 |
STA509A |
|
Микросхема |
|
765.20 | ||
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | SK |
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | 4-7 НЕДЕЛЬ | 561 |
|
|
| КТ 3102 АМ | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 2 271 | 27.75 | ||
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 480 | 28.35 | |
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 3 729 | 37.80 | |
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
