EFUSE RGEF1000

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MB351 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 100V		DC COMPONENTS
MB351 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 100V
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	MICRO SEMICONDUCTOR
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	GENERAL SEMICONDUCTOR
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	DC COMPONENTS	14 412	1.10
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)			3.56
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	GENERAL SEMICONDUCTOR	11 072
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	FAIRCHILD
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	Fairchild Semiconductor
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	MICROSEMI CORP
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	DIOTEC
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	FAIR
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	КИТАЙ
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	KINGTRONICS
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	ONS-FAIR
UF4006	Ультробыстрый диод (1А,800В)	ONS
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).		800	52.92
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).	ТОМИЛИНО
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).	ТОР
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).	РОССИЯ
М42303 20А (АНАЛОГ)
М42303 20В (АНАЛОГ)