С2-23-0,125-1 МОМ-5%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
С2-23-0,125-1 МОМ-5%	692	3.78

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603-Y5V-50-0.15МКФZ		HITANO
КД102А	Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА		1 990	29.60
КД102А	Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА	ДНЕПР	264	144.65
КД102А	Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА	ХЕРСОН
КД102А	Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА	RUS
КД102А	Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА	СЗТП
КД102А	Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА	ОРБИТА
КД102А	Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		427	11.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 152	16.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 960	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000
С2-23-0,125-130 ОМ-5%			1 294	5.55
С2-23-0,125-240 ОМ-5%			177	5.55