|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
|
8 520
|
17.90
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8 666
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
20 215
|
23.45
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON / IR
|
200
|
29.64
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
RUME
|
7 320
|
18.52
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FSC
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
|
|
66.60
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
593
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
|
|
36.00
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
5
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
FAIRCHILD
|
64
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
228
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 852
|
11.69
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
RX27-1 2 КОМ 5W 5% / SQP5 |
|
|
|
2 329
|
15.67
|
|