| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
КД 521 В |
|
|
RUS
|
|
|
|
 |
 |
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
|
1 672
|
31.80
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
СЗТП
|
80
|
65.59
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
|
492
|
34.40
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС512А |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
144
|
20.24
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 200
|
33.57
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 002
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
403
|
27.60
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 041
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2159
|
|
|
|
Версия для печати
