Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	FAIR
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	NXP
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V		10 536	2.00
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	MOTOROLA
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	DC COMPONENTS
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	FAIRCHILD
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	FAIRCHILD	2 512
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	MOTOROLA	49
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	NXP
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	OTHER
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	Fairchild Semiconductor
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	КИТАЙ
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	ON SEMI/FAIRCH
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	ONSEMICONDUCTOR
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	ONS-FAIR
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	ONS
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	HOTTECH	3 600	2.60
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	WUXI XUYANG
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	KLS
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	SEMTECH
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	ST MICROELECTRONICS
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	1
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	SUNTAN
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	TRR	1 800	1.23
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	UNKNOWN	7	5.40
		1N4742A		Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V	KEEN SIDE	2 632	1.62
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAI/QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LIT	12 380	17.64
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	COSMO
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AGILENT TECHNOLOGIES
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD	140	31.80
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QT OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC COMPONENTS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Lite-On Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Vishay/Semiconductors
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Avago Technologies US Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ISOCOM
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVLT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	71
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT	771	25.44
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LTV
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	MOTOROLA
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В		865	44.40
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLLIGHT	3 960	24.80
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ONS-FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EL
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	КИТАЙ
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	YOUTAI	15 296	8.33
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVL	1 591	12.63
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOSHIBA
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AVAGO	28	31.80
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	150
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	35
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	76
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	975
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	1	80	11.58
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	2 892	1.70
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		85 584	1.07
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	325	2.20
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	5 896	2.42
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	336	2.00  >100 шт.   1.00
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	11	2.90
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	1.47
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	1 187	1.22
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	13 774	2.07
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	XXW	25 428	1.74  >100 шт.   0.87
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	CJ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KEEN SIDE	64	1.08
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	MERRYELC	68	1.16
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HXY
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	3615
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	10000	1	1.88  >100 шт.   0.94
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	1500	8	1.96  >100 шт.   0.98
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2 194	17.64
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	507	14.84
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 917	27.75
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	32.79
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 665	38.16
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1415
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	20
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3147

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"