| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IR2111 |
|
Полумостовой драйвер, продолжительность блокировки 700 мкс, t(on/off)= 850/150 нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2111 |
|
Полумостовой драйвер, продолжительность блокировки 700 мкс, t(on/off)= 850/150 нс
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2111 |
|
Полумостовой драйвер, продолжительность блокировки 700 мкс, t(on/off)= 850/150 нс
|
|
|
132.16
|
|
|
|
|
IR2111 |
|
Полумостовой драйвер, продолжительность блокировки 700 мкс, t(on/off)= 850/150 нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IR2111 |
|
Полумостовой драйвер, продолжительность блокировки 700 мкс, t(on/off)= 850/150 нс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2111 |
|
Полумостовой драйвер, продолжительность блокировки 700 мкс, t(on/off)= 850/150 нс
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IR2111 |
|
Полумостовой драйвер, продолжительность блокировки 700 мкс, t(on/off)= 850/150 нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
183
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 408
|
18.27
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
|
|
189.20
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
YOUTAI
|
4 715
|
8.78
|
|
|
|
|
SG3525AP |
|
Микросхема регулятор PWM 8-35V SO16
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
689
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
|
|
229.48
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
620
|
|
|
|
|
|
К 561 ТЛ1 |
|
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
