К73-49-250В-50ГЦ-0,47 МКФ+2Х0,0047 МКФ-20% 85ГРАД.С

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
К73-49-250В-50ГЦ-0,47 МКФ+2Х0,0047 МКФ-20% 85ГРАД.С	1 580	24.05

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
6Н1П	Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты		1	70.30
6Н1П	Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты	КАЛУГА
6Н1П	Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты	ОРЕЛ
BZX55C 5V1 1/2W DO-35 (РОССЫПЬ) СТАБИЛИТРОН HOTTECH
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		296	98.28
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	886	19.12
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	29.04
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		658	15.46
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	15.12
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	340	16.80
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	2 036	15.75
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	12.10
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
МБМ-160В-1 МКФ-10%			80	9.25