| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
|
|
212.28
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
-
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BU808DFI |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W
|
|
1
|
604.80
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
STRF6654 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/9.7A, Po=190W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
304
|
|
|
|
|
|
К 555 ЛА7 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К157ДА1 |
|
Двухканальный двухполупериодный выпрямитель среднего значения сигналов
|
|
|
15.20
|
|
|
|
|
К157ДА1 |
|
Двухканальный двухполупериодный выпрямитель среднего значения сигналов
|
ПОЛЯРОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
124
|
39.04
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
512
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
