SQP-2-22 ОМ-5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007 (1A 1000V)
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления		19 200	1.32 >100 шт. 0.66
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR	39	4.86
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	3 874	1.76
ECAP 220/50V 1012 SK	Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 50В	YAGEO
ECAP 220/50V 1012 SK	Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 50В
КД 521 А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
КТ 315 Д	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
КТ 315 Д	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	RUS