RD06HVF1-101
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
RD06HVF1 MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications Также в этом файле: RD06HVF1-101
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP0 100PF 5% 500V | SUNTAN |
|
|
|||||
| NP0 100PF 5% 500V | КИТАЙ |
|
|
|||||
| NP0 180PF 5% 500V | SUNTAN |
|
|
|||||
| NP0 180PF 5% 500V | КИТАЙ |
|
|
|||||
| NP0 68PF 5% 500V | SUNTAN |
|
|
|||||
| NP0 68PF 5% 500V | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
 |
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) |
|
644.00 | ||
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
RD70HVF1-101 | MITSUBISHI |
|
|
||||
|
|
RD70HVF1-101 |
|
2 400.00 | |||||
|
|
RD70HVF1-101 | MIT |
|
|
