|
Версия для печати
| Power - Max | 910mW |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 18A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GRM43R5C2D222JY21L |
|
Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В | MUR |
|
|
|||
| GRM43R5C2D222JY21L |
|
Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В |
|
|
||||
| GRM43R5C2D222JY21L |
|
Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В |
|
|