NDD04N60ZT4G


NDD04N60ZT4G (заказ)
NDD04N60ZT4G

Технические характеристики NDD04N60ZT4G

Power - Max83W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds535pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 2A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru