Версия для печати
Технические характеристики MUN5211T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	310mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

MUN52xxT1 (Универсальные биполярные транзисторы) NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network Также в этом файле: MUN5211T1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MUN5211T1G datasheet 139.09Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные, со встроенными резисторами

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		78 600	1.10
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR	3	3.76
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.66
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	363 138	1.90  >100 шт.   0.95
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE	104	1.46
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	158 370	1.38  >100 шт.   0.69
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	285	1.12
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	40 443	1.48  >100 шт.   0.74
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	1 244	1.45
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	70 396	1.82  >100 шт.   0.91
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGZHOU YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KEEN SIDE	24 704	1.30  >100 шт.   0.65
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	9156	80	1.05
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ZETEX
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIR
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	NXP
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)		7 648	1.07
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	PHILIPS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIRCHILD
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIRCHILD	188
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	OTHER
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	PHILIPS	164
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ZETEX
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	NXP	139
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	Fairchild Semiconductor
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FSC
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ON SEMI/FAIRCH
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ONSEMICONDUCTOR
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ONS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ONS-FAIR
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	LRC
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YJ	79 571	1.12
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YANGJIE
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YANGJIE (YJ)
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YOUTAI	31 590	1.46
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	HOTTECH	1 356	1.18
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	GALAXY ME
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	KLS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	UMW	4 080	2.07
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	UMW-YOUTAI
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	SUNTAN	243	1.31
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	SHIKUES
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	LGE	432	2.13
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	XSEMI
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YANGZHOU YANGJIE
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	KEEN SIDE
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	1400	80	1.19
		LP2985-50DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	33	29.47
		LP2985-50DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	429
		LP2985-50DBVR				1	71.82
		LP2985-50DBVR			TEXAS
		LP2985-50DBVR			NS
		LP2985-50DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	576
		LQH55DN2R2M, 2.2 МКГН, 2220, 20%			MURATA
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS	5 395	180.20
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).		2 134	65.81
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS SEMI
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMicroelectronics
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	КИТАЙ
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRO
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMICROELECTR
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	4-7 НЕДЕЛЬ	273

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"