|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
|
|
108.00
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
3
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
|
1 509
|
71.29
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INFINEON
|
20 335
|
75.58
|
|
|
|
IRF5305PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF5305PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF5305PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A
|
INFINEON
|
2 388
|
66.43
|
|
|
|
IRF5305PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A
|
|
800
|
53.12
|
|
|
|
IRF5305PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор P-канальный Vси = -55 В, Rоткр = 0.06 Ом, Id(25°C) = -31A
|
IR/VISHAY
|
40
|
87.12
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
|
|
144.00
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS
|
332
|
139.17
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
SPTECH
|
788
|
34.28
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
JSMICRO
|
168
|
43.15
|
|
|
|
СВЕРЛО 0.6 ММ |
|
|
|
|
45.20
|
|