MJD31CT4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MJD31CT4G (ON SEMICONDUCTOR.)	137	3-4 недели Цена по запросу
MJD31CT4G (ONS)	2 174	44.72

Версия для печати

Технические характеристики MJD31CT4G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)	50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 3A, 4V
Power - Max	1.56W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.