| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
376
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
DIODES INC.
|
98
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
240
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
RECTRON
|
6
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
PECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
TCI
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
DIOTEC
|
184 377
|
3.29
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
|
37 674
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
YJ
|
30 938
|
1.50
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
MIC
|
4 906
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4001 |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А
|
KEEN SIDE
|
7 200
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
BAR43AFILM |
|
Диод Шоттки (30V 100MA)
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 688
|
8.27
|
|
|
|
|
BAR43AFILM |
|
Диод Шоттки (30V 100MA)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 208
|
|
|
|
|
|
BAR43AFILM |
|
Диод Шоттки (30V 100MA)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BAR43AFILM |
|
Диод Шоттки (30V 100MA)
|
|
|
|
|
|
|
|
BAR43AFILM |
|
Диод Шоттки (30V 100MA)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
BAR43AFILM |
|
Диод Шоттки (30V 100MA)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
416
|
12.88
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
540
|
12.49
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
6 916
|
12.72
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 880
|
8.48
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
8
|
3.61
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1728
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
2400
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
2884
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
4344
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 709
|
38.16
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-2-300 КОМ-5% |
|
|
|
|
|
|