| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
ATMEL
|
463
|
378.00
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
|
92
|
428.63
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
MICRO CHIP
|
112
|
371.95
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
600
|
|
|
|
|
|
AT89S52-24PU |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 8K Flash, 4.0 ... 5.5В, ...
|
579
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
DC COMPONENTS
|
5 916
|
9.03
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
|
640
|
6.60
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MIC
|
5 673
|
6.35
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
JS
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WUXI XUYANG
|
1 540
|
11.94
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE
|
13 928
|
7.41
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY MICROELECTRONICS CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
HOTTECH
|
1 178
|
5.23
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
1
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
XUYANG
|
1 102
|
6.86
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KEEN SIDE
|
1 564
|
4.11
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
375
|
94.21
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
673
|
107.74
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
774
|
54.09
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 246
|
66.88
|
|
|
|
|
MAX481ECPA |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX481ECPA |
|
|
|
|
176.32
|
|
|
|
|
MAX481ECPA |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX481ECPA |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
112
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
