Версия для печати
Технические характеристики DR-120-48

Производитель	Mean Well Enterprises Co., Ltd.
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	829.050 г
Мощность	120 Вт
Конструктив	на DIN рейку
Режим стабилизации ток/напряжение	CV
Номинальное входное напряжение AC	230 В
Количество выходов	1 шт.
Эффективность	85 %
Шум	100 мВ
Переключатель входного напряжения	1
Однофазное подключение	есть
Напряжение изоляции вход-выход	3 кВ
Напряжение изоляции вход-корпус	1.5 кВ
Защита от короткого замыкания	есть
Защита от перегрузки	есть
Защита от перенапряжения	есть
Защита от перегрева	есть
Размер	65.5x125.2x100.0
Рабочая температура	-10...60 °C
Температура хранения	-20...85 °C
Сертификат безопасности	UL508, UL 60950-1, TUV EN60950-1 approved
Сертификат ЭМИ	EN55022 class B, EN61000-3-2,3, EN61000-6-2,

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	1 905	2.76
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	16 252	2.24
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	54 123	3.10
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	204	3.18
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		2 359	7.40
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	166	1.75
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	3 200	2.44
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH	11 212	1.35
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KEEN SIDE
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST/YJ
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	10
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	68
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	876
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	98
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	542	80	1.42
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RUME	1 912	1.32
		74LS164N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	FAIR
		74LS164N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)			34.56
		74LS164N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	ГЕРМАНИЯ
		74LS164N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74)	4-7 НЕДЕЛЬ	89
		BC639G		Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=1.0A, P=1.0W, -65 to +150C). Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		BC639G		Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=1.0A, P=1.0W, -65 to +150C). Pb-free.	ONS
		BC639G		Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=1.0A, P=1.0W, -65 to +150C). Pb-free.	ON SEMIC
		BC639G		Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=1.0A, P=1.0W, -65 to +150C). Pb-free.	FAIRCHILD
		BC639G		Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=1.0A, P=1.0W, -65 to +150C). Pb-free.
		BC639G		Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=1.0A, P=1.0W, -65 to +150C). Pb-free.	ON SEMI/FAIRCH
		BC639G		Транзистор NPN (Uce=100V, Ic=1.0A, P=1.0W, -65 to +150C). Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		BT138-600		TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA	NXP
		BT138-600		TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA			65.24
		BT138-600		TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA	NXP
		BT138-600		TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA	ФИЛИППИНЫ
		BT138-600		TRIAC 600V, 12A, Igt=35mA	CHINA	25 360	15.07
		NUD4001DR2G			ON SEMICONDUCTOR
		NUD4001DR2G			ONS	108	103.74
		NUD4001DR2G			ON SEMICONDUCTOR	81
		NUD4001DR2G
		NUD4001DR2G			ON SEMICONDUCTO
		NUD4001DR2G			32

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"