BT131-400

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SH200M3R30B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 200 В	YAGEO
SH200M3R30B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 200 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SH200M3R30B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 200 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SN050M0022B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В	YAGEO
SN050M0022B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SN050M0022B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SN050M0022B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА			4.80
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА	ЭЛЕКС
КП307А	Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		80	49.19
КП307А	Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)		801	37.48
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)	ТОНДИ