BT131-400
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В |
|
|
||||
 |
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | 266 | 45.36 | |||
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | ФОТОН |
|
|
||
 |
КП307Б | 83 | 45.36 | |||||
|
|
КП307Б | ФОТОН | 200 | 42.00 | ||||
 |
КП307Ж |
|
34.56 | |||||
|
|
КП307Ж | ФОТОН |
|
|
||||
 |
 |
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 800 | 34.02 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
