Версия для печати
Технические характеристики BC847BDW1T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

BC847BDW1T1 Dual General Purpose Transistors Также в этом файле: BC847BDW1T1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com BC847BDW1T1G datasheet 109.94Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...		64	16.65
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	INFINEON
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	HOTTECH
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	VBSEMI
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	TRR	10 729	2.18
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	YOUTAI	9 266	3.35
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	TECH PUB	3 304	5.46
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	RECTIFIER
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INFINEON
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INFINEON
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения		1	70.30
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	NSC
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	NATIONAL SEMICONDUCTOR	28
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	TEXAS
		LM392N		Операционный усилитель, регулятор напряжения	4-7 НЕДЕЛЬ	55
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	520	278.96
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"