| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
DC COMPONENTS
|
3 540
|
1.83
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
|
10 313
|
1.99
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
8
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
1 757
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
7 769
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
OTHER
|
92
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
KLS
|
4 000
|
1.50
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
|
|
339.44
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
NCP1200AP-100 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1200AP-100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1200AP-100 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP1200AP-100 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
770
|
|
|
|
|
|
NJM4558(D) |
|
Операционный усилитель двухканальный 4-18В, 3MHz, 1V/us
|
JRC
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558(D) |
|
Операционный усилитель двухканальный 4-18В, 3MHz, 1V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558(D) |
|
Операционный усилитель двухканальный 4-18В, 3MHz, 1V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
35.91
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
|
|
60.52
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
STMICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
264
|
|
|
Версия для печати
