| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
|
1 120
|
8.04
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ISC
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
MSKSEMI
|
3 358
|
4.77
|
|
|
|
|
AM29F010B-55EI TSOP32 |
|
|
AMD
|
|
|
|
|
|
|
AM29F200BB-70SF ЗАКАЗ ДО 08.12.12 |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
AM29F200BB-70SF ЗАКАЗ ДО 08.12.12 |
|
|
SPA
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050 |
|
Усилитель низкой частоты 32Вт(2x22V/8 Ом)
|
|
4
|
234.36
|
|
|
|
|
TDA2050 |
|
Усилитель низкой частоты 32Вт(2x22V/8 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050 |
|
Усилитель низкой частоты 32Вт(2x22V/8 Ом)
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050 |
|
Усилитель низкой частоты 32Вт(2x22V/8 Ом)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050 |
|
Усилитель низкой частоты 32Вт(2x22V/8 Ом)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2050 |
|
Усилитель низкой частоты 32Вт(2x22V/8 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
296
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
84
|
192.78
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
1
|
340.20
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
273.00
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ898А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭПЛ
|
|
|
|
Версия для печати
