|
|
Версия для печати
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10.00 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 20.0 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 |
| Корпус | TO3PB |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC3040 |
|
Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W | SANYO |
|
|
|
|
|
|
2SC3040 |
|
Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W |
|
65.32 | ||
|
|
|
2SC3040 |
|
Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC3040 |
|
Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W | КИТАЙ |
|
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2Д2997А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный | 8 | 211.20 | |||
|
|
2Д2997А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный | ФОТОН | 221 |
|
||
|
|
2Д2997А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный | RUS |
|
|
||
|
|
2Д2997А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный | ОКБ ФОТОН |
|
|
||
| КИПЦ29В1-2/8Л | 31 | 35.15 | ||||||
| КИПЦ29В1-2/8Л | 31 | 35.15 |