2SB856
|
Версия для печати
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3.00 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 35 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 35.0 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 25 |
| Корпус | TO220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz | HITACHI | 26 | 105.84 | |
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz | 1 | 81.90 | ||
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz | HIT |
|
|
|
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
2SB857 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
