| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
424
|
51.66
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
|
24
|
75.60
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS
|
844
|
35.72
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
631
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 836
|
12.33
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
SCS-16 |
|
DIP панель для микросхемы 16 контактов
|
|
8 256
|
3.57
|
|
|
|
|
SCS-16 |
|
DIP панель для микросхемы 16 контактов
|
BM
|
|
|
|
|
|
|
SCS-16 |
|
DIP панель для микросхемы 16 контактов
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
SCS-16 |
|
DIP панель для микросхемы 16 контактов
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
SCS-16 |
|
DIP панель для микросхемы 16 контактов
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
SCS-16 |
|
DIP панель для микросхемы 16 контактов
|
NLT
|
|
|
|
|
|
|
SCS-16 |
|
DIP панель для микросхемы 16 контактов
|
RUICHI
|
1 656
|
5.43
|
|
|
|
|
КР514ИД1 |
|
|
|
459
|
22.08
|
|
|
|
|
КР514ИД1 |
|
|
ДНЕПР
|
276
|
21.00
|
|
|
|
|
КР514ИД1 |
|
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КР514ИД1 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР514ИД1 |
|
|
МЕЗОН
|
784
|
47.53
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
|
32 307
|
1.85
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
ТОМСК
|
833
|
2.10
|
|
Версия для печати
