|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 8V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Корпус | DO-35 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N34A |
|
147.76 | ||||||
| 1N34A | MCS |
|
|
|||||
| 1N34A | MICROSEMI | 3 | 112.55 | |||||
| 1N34A | КИТАЙ |
|
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZV85C12 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 12V | 2 495 | 2.21 | |||
|
|
BZV85C12 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 12V | NXP |
|
|
||
|
|
BZV85C12 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 12V | PHILIPS |
|
|
||
|
|
BZV85C12 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 12V | HOTTECH |
|
|
||
|
|
BZV85C12 |
|
Стабилитрон ZPY 1W 12V | 1 |
|
|
||
| LG200M1000BPF-3040 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 200 В | YAGEO |
|
|
|||
| LG200M1000BPF-3040 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG200M1000BPF-3040 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT |
|
270.88 | ||
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | TEXAS |
|
|
|
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 357 |
|
|
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 КРАС. 0.5М |
|
33.84 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 КРАС. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 КРАС. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|||||
| ФЛЮС СПИРТО-КАНИФОЛЬНЫЙ 25МЛ |
|
113.36 |