| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
100PF/50V NPO |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
100PF/50V NPO |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
 |
 |
ATMEGA32A-PU |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
|
873
|
406.10
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
MICRO CHIP
|
560
|
404.77
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
616
|
|
|
|
|
|
IRF7105TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7105TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7105TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7105TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
|
2 820
|
33.62
|
|
|
|
|
IRF7105TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
|
18
|
112.84
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2941S |
|
Стабилизатор напряжения ``low drop`` (Vout=5.020V, tol=5%, I=1.0A, Vin(max)=26V)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
32
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
874
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 411
|
4.24
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 942
|
6.36
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.48
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
196
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4264
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6178
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
762
|
|
|
|
Версия для печати
