| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1Т308А |
|
|
|
102
|
15.12
|
|
|
|
|
1Т308А |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
1Т308А |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
1Т308А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
|
1
|
18.96
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
ANK
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
168
|
|
|
|
|
IRFPC50 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPC50 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPC50 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W
|
|
1
|
812.70
|
|
|
|
IRFPC50 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPC50 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFPC50 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W
|
1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
9 884
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
15 216
|
13.58
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
17.96
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
2 800
|
21.70
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
20
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КР1162ЕН12Б |
|
|
|
|
12.64
|
|
|
|
КР1162ЕН12Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
69.49
|
|
|
|
КР1162ЕН12Б |
|
|
БРЯНСК
|
6
|
31.80
|
|
|
|
КР1162ЕН12Б |
|
|
8
|
|
|
|