RFD14N05LSM

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
RFD14N05LSM		186.00
RFD14N05LSM (INTERSIL.)	7	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики RFD14N05LSM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 14A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	670pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RFD14N05LSM (MOSFET)

N-Channel Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

RFD14N05LSM datasheet
209.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BTS149		INFINEON
BTS149				532.92
BTS149		Infineon Technologies
BTS149		INFINEON
BTS149		4-7 НЕДЕЛЬ	787
IRU1117-33CD	LDO стабилизатор 3.3В 0.8А DPak	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRU1117-33CD	LDO стабилизатор 3.3В 0.8А DPak			63.80
IRU1117-33CD	LDO стабилизатор 3.3В 0.8А DPak	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRU1117-33CD	LDO стабилизатор 3.3В 0.8А DPak	4-7 НЕДЕЛЬ	112
IRU1117-33CY	СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRU1117-33CY	СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A)			106.00
IRU1117-33CY	СН ``low drop`` ( Vinmax=7V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0.8A)	4-7 НЕДЕЛЬ	428