NDT3055
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 30V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NDT3055 (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
MY-62 |
|
Мультиметр цифровой | S-LINE |
|
|
|
|
|
|
MY-62 |
|
Мультиметр цифровой | MASTECH |
|
|
|
|
|
|
MY-62 |
|
Мультиметр цифровой |
|
2 392.00 | ||
|
|
|
MY-62 |
|
Мультиметр цифровой | 1 |
|
|
