NDS352AP

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NDS352AP		306.00
NDS352AP (FAIRCHILD.)	908	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NDS352AP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	900mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	135pF @ 15V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NDS352AP (Полевые ДМОП транзисторы)

P-channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

NDS352AP datasheet
81.33Kb
6стр.